电商MRO供应链德国optrisc欧普士单体红外测温仪CSmicro在快速热处理中控制硅的发射率和热均匀性

在快速热处理中控制硅的发射率和热均匀性

硅的发射率随温度、波长和表面特性而变化，导致不同光谱范围内的行为复杂。
对于使用感应或电阻加热的设备，半导体工艺的现场和在线温度监测通常使用 CTratio 高温计实现。这些紧凑的两件式设备配有柔性光纤，可以放置在狭窄或难以触及的区域。它们旨在承受恶劣条件，包括高达 315°C 的环境温度、振动和化学暴露。比率技术通过比较两种不同波长的光的强度来提供**的温度测量，从而减少由发射率变化、光学干扰或光路障碍物引起的误差。智能比率软件模式可以根据硅发射率的变化进行调整，即使发射率在两个波长上变化不均匀，也能确保读数准确。
尽管有这些先进的技术，半导体行业仍然经常使用加热灯或将晶圆放置在加热的热质量附近。这些使用石英管灯的设施受益于硅在特定波长下的高发射率，但在**测量温度方面面临挑战。这些灯发射的能量约为 1 µm，使红外传感器检测变得复杂，因为传感器可能会拾取石英管而不是晶片。硅在低温下对长波长红外线是透明的，但在高温下变得不透明。在这样的应用中，工作在 1 µm 左右的高温计是不够的，需要传统的长波长红外传感器。可以使用多个测温仪或线扫描仪模式下的红外热像仪通过狭缝进行热均匀性测量。

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