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电商MRO供应链德国optrisc欧普士单体红外测温仪CSmicro彻底清洗晶圆和去除残留光刻胶的重要性
日期：2025-04-30 21:06
浏览次数：11
摘要：彻底清洗晶圆和去除残留光刻胶的重要性
光学光刻是用于制造集成电路的一种工艺。首先，将一种感光材料（称为光刻胶）涂到基板上。然后将包含所需图案的光掩模放置在光刻胶上方，光线穿过光掩模，暴露光刻胶的特定区域。这些暴露的区域会发生化学变化，在显影液中可溶或不溶。显影后，图案通过蚀刻、化学气相沉积或离子注入转移到基板上。
一旦结构被蚀刻或沉积在晶圆上，去除光刻胶并彻底清洁晶圆至关重要。此清洁过程通常分为三个不同的阶段。首先，剥离光刻胶。随后，使用专门的化学清洁方法消除晶圆表面上的任何残留物。*后，对表面...
彻底清洗晶圆和去除残留光刻胶的重要性
光学光刻是用于制造集成电路的一种工艺。首先，将一种感光材料（称为光刻胶）涂到基板上。然后将包含所需图案的光掩模放置在光刻胶上方，光线穿过光掩模，暴露光刻胶的特定区域。这些暴露的区域会发生化学变化，在显影液中可溶或不溶。显影后，图案通过蚀刻、化学气相沉积或离子注入转移到基板上。
一旦结构被蚀刻或沉积在晶圆上，去除光刻胶并彻底清洁晶圆至关重要。此清洁过程通常分为三个不同的阶段。首先，剥离光刻胶。随后，使用专门的化学清洁方法消除晶圆表面上的任何残留物。*后，对表面进行细致的清洁和钝化，为后续处理步骤做好准备。
如果晶圆在后续光刻工艺之前仍含有光刻胶，则可能会出现几个问题。残留的光刻胶会导致后续光刻步骤中图案转移不准确，从而导致晶圆上的电路或特征出现缺陷。不干净的晶圆会引入污染物，干扰材料沉积、蚀刻工艺或其他制造步骤，可能导致设备性能不佳或故障。此外，受污染或清洁不当的晶圆会增加缺陷率，降低生产批次中1功能集成电路的总产量。
需要一种成像方法来检测清洁过程中 API 薄膜的残留物或未知位置的污染物，因为它们在可见光谱域中并不总是可见的。
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2025/4/27
